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晶圓表面缺陷檢測是半導體制造過程中至關(guān)重要的一步，直接影響到芯片的性能、可靠性和良品率。隨著集成電路（IC）技術(shù)的不斷進步，晶圓尺寸的不斷縮小，缺陷檢測的難度也隨之增加。因此，精準、快速的晶圓表面缺陷檢測技術(shù)成為了半導體制造領(lǐng)域中的研究熱點...
橢偏儀通過測量光在介質(zhì)表面反射前后偏振態(tài)變化，獲得材料的光學常數(shù)和結(jié)構(gòu)信息，具有測量精度高、非接觸、無破壞且不需要真空等優(yōu)點。橢偏儀的選購指南：1、根據(jù)研究或測試的材料特性來確定光譜范圍，進一步選擇適合光源的橢偏儀。對于透明材料，考慮關(guān)心的折射率光譜區(qū)域;對于短波吸收、長波透明材料，如果關(guān)心吸收區(qū)域折射率及膜厚可擴展到紅外透明區(qū)域來先確定薄膜厚度，然后求解折射率。2、入射角方式選擇。橢偏儀多角度測量可以增加可靠性，但不是總有必要。多角度Z適用于以下幾種場合：多層膜結(jié)構(gòu)、吸收膜...
橢偏儀/橢圓偏振儀是一種用于探測薄膜厚度、光學常數(shù)以及材料微結(jié)構(gòu)的光學測量儀器?，F(xiàn)在已被廣泛應用于材料、物理、化學、生物、醫(yī)藥等領(lǐng)域的研究、開發(fā)和制造過程中?；驹恚簷E偏儀的原理主要依賴于光的偏振現(xiàn)象。當光線通過某些物質(zhì)時，其偏振狀態(tài)會發(fā)生變化。橢偏儀利用這一特性，通過精確控制入射光的偏振態(tài)，并測量經(jīng)過樣品后光的偏振態(tài)變化，進而分析樣品的性質(zhì)。橢偏法測量具有如下特點：1.能測量很薄的膜（1nm），且精度很高，比干涉法高1-2個數(shù)量級。2.是一種無損測量，不必特別制備樣品，也...
Filmetrics3D光學輪廓儀是用于對各種精密器件表面進行納米級測量的儀器，它是以白光干涉技術(shù)為原理，光源發(fā)出的光經(jīng)過擴束準直后經(jīng)分光棱鏡后分成兩束，一束經(jīng)被測表面反射回來，另外一束光經(jīng)參考鏡反射，兩束反射光最終匯聚并發(fā)生干涉，顯微鏡將被測表面的形貌特征轉(zhuǎn)化為干涉條紋信號，通過測量干涉條紋的變化來測量表面三維形貌。Filmetrics3D光學輪廓儀具有3倍於于其成本儀器的次納米級垂直分辨率，Profilm3D同樣使用了現(xiàn)今高分辨率之光學輪廓儀的測量技術(shù)包含垂直掃描干涉（V...
硅片電阻率測試模組是一款測量圓柱晶體硅電阻率測試儀器，可測量硅芯，檢磷棒，檢硼棒，籽晶等，由于儀器大大消除了珀爾帖效應、塞貝克效應、少子注入效應等負效應的影響，因此測試精度大大提高，量程實現(xiàn)了電阻率從10-4歐姆.厘米到10+4歐姆.厘米（可擴展）的測試范圍。因此儀器具有測量精度高、穩(wěn)定性好、測量范圍廣、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點。是西門子法、硅烷法等工藝生產(chǎn)原生多晶硅料的企業(yè)、物理提純生產(chǎn)多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)、光伏及半導體材料廠、器件廠、科研部門、高等院校以及需要超大量程測試電阻...
納米壓印機具有紫外線納米壓印功能的通用研發(fā)掩膜對準系統(tǒng)，支持尺寸從碎片到最大150毫米。該工具支持多種標準光刻工藝，例如真空，軟，硬和接近曝光模式，并可選擇背面對準。此外，該系統(tǒng)還為多功能配置提供了附加功能，包括鍵對準和納米壓印光刻。納米壓印機提供快速的處理和重新安裝工具，以改變用戶需求，光刻和NIL之間的轉(zhuǎn)換時間僅為幾分鐘。其先進的多用戶概念可以適應從初學者到專家級別的所有需求，因此使其成為大學和研發(fā)應用程序的理想選擇。對于壓印工藝，本產(chǎn)品允許基板的尺寸從小芯片尺寸到直徑1...
